Samsung a réalisé des avancées notables pour remédier aux problèmes de surchauffe et de consommation excessive d’énergie de ses puces Exynos. La dernière innovation, l’Exynos 2600, intègre la technologie Heat Path Block (HPB) pour améliorer la dissipation thermique. Actuellement, les puces Exynos utilisent une structure Fan-Out Wafer Level Package (FOWLP) qui réduit la génération de chaleur en positionnant les terminaux d’entrée et de sortie à l’extérieur de la puce. Le HPB, une fine couche de cuivre, aide à dissiper rapidement la chaleur du processeur. Cependant, comme le DRAM et le HPB sont situés au-dessus du processeur, seule la chaleur du processeur est dissipée, et non celle du DRAM.
Pour ses futures puces Exynos, Samsung envisage d’adopter une structure d’emballage côte à côte (SbS), où le DRAM et le processeur seraient placés l’un à côté de l’autre avec le HPB au-dessus des deux. Cette configuration permettrait une dissipation rapide de la chaleur générée par le processeur et le DRAM, tout en rendant le package plus fin, facilitant ainsi son intégration dans des smartphones plus minces. Toutefois, cette approche augmente la surface horizontale du package, bien que sa hauteur diminue. Si les fabricants de téléphones ne voient pas d’inconvénient à cette augmentation de surface, Samsung pourrait généraliser l’utilisation de la structure SbS pour toutes les puces Exynos à moyen et long terme.
