تستعد شركة سامسونج لبدء الإنتاج الضخم للجيل السادس من رقائق الذاكرة ذات النطاق الترددي العالي (HBM4) في فبراير 2026، وذلك بعد اجتيازها تقييم الجودة بنجاح من قبل شركة إنفيديا. تأتي هذه الخطوة في إطار سعي سامسونج لتجنب مشكلات التوريد التي واجهتها مع رقائق الجيل الخامس. سيتم الإنتاج في مجمع بيونغتايك التابع لسامسونج، فيما تخطط شركة إس كيه هاينكس المنافسة لبدء إنتاج رقائق HBM4 الخاصة بها في نفس الفترة تقريبًا.
من المتوقع أن يتم دمج غالبية رقائق HBM4 من سامسونج في نظام تسريع الذكاء الاصطناعي الجديد من إنفيديا، “فيرا روبين”، المتوقع إطلاقه في النصف الثاني من عام 2026. بالإضافة إلى ذلك، ستقوم سامسونج بتوريد بعض الرقائق لشركة جوجل لاستخدامها في الجيل السابع من وحدات معالجة التنسور. وقد اختارت سامسونج عملية تصنيع بدقة 10 نانومتر لرقائقها، مما يوفر أداءً متفوقًا مقارنة بعملية 12 نانومتر التي تعتمدها إس كيه هاينكس. وتشير الاختبارات الداخلية إلى أن رقائق سامسونج يمكن أن تحقق سرعات تصل إلى 11.7 جيجابت في الثانية.
