Samsung reporte l’utilisation commerciale à grande échelle des équipements de lithographie High-NA EUV à son nœud 1 nm (A10), dont les puces devraient commencer à être livrées vers 2030, a révélé Park Chang-min, Master of the Foundry Process Development Team du Semiconductor R&D Center de Samsung, lors de la conférence Next Generation Lithography + Patterning (NGL 2026) via @Jukan05.
High-NA EUV : raisons du report
La société avait initialement prévu d’employer des machines High-NA EUV pour ses nœuds 2 nm et 1,4 nm, mais a constaté que l’écosystème de soutien restait immature. Des composants essentiels — en particulier les masques, les pellicules et des matériaux spécialisés nécessaires pour exploiter pleinement ces équipements — font défaut et nécessitent un développement conjoint supplémentaire. Par ailleurs, chaque machine High-NA EUV est estimée entre $350 million et $400 million, un coût extrêmement élevé même pour des fonderies de premier plan comme Samsung.
Plan pour les nœuds 2 nm et 1,4 nm
Samsung Foundry prévoit désormais d’utiliser des équipements EUV standard à NA 0,33 combinés à des techniques de multi-patterning pour ses nœuds 2 nm et 1,4 nm plutôt que de déployer immédiatement le High-NA.
Ce que change le High-NA EUV
La lithographie High-NA EUV augmente l’ouverture numérique (NA) de 0,33 à 0,55, ce qui concentre davantage de lumière pour améliorer la résolution. Cette capacité permet le single-patterning de circuits ultra-fins, réduit le nombre d’étapes de production et offre une plus grande flexibilité de conception.
