حققت شركة سامسونج تقدمًا كبيرًا في معالجة مشاكل ارتفاع درجة الحرارة والاستهلاك المفرط للطاقة في رقائق Exynos الخاصة بها. وتأتي أحدث ابتكاراتها، Exynos 2600، مزودة بتقنية “Heat Path Block” (HPB) لتحسين تبديد الحرارة. حاليًا، تستخدم رقائق Exynos بنية “Fan-Out Wafer Level Package” (FOWLP) التي تقلل من توليد الحرارة عن طريق وضع الأطراف المدخلة والمخرجة خارج الشريحة. وتساهم تقنية HPB، وهي طبقة رقيقة من النحاس، في تبديد الحرارة من المعالج بسرعة. ومع ذلك، نظرًا لأن ذاكرة DRAM وHPB موضوعان فوق المعالج، فإن الحرارة المنبعثة من المعالج فقط هي التي يتم تبديدها، وليس الحرارة المنبعثة من ذاكرة DRAM.
فيما يتعلق بالرقائق المستقبلية من Exynos، تخطط سامسونج لاعتماد هيكل تغليف جانبي (SbS)، حيث يتم وضع ذاكرة DRAM والمعالج جنبًا إلى جنب مع وضع HPB فوق الاثنين. ستمكن هذه التكوينات من تبديد الحرارة الناتجة عن المعالج وذاكرة DRAM بسرعة، بينما تجعل الحزمة أكثر نحافة، مما يسهل دمجها في الهواتف الذكية الأكثر نحافة. ومع ذلك، فإن هذه الطريقة تزيد من مساحة السطح الأفقي للحزمة، رغم أن ارتفاعها ينخفض. وإذا لم تواجه شركات تصنيع الهواتف مشكلة مع هذه الزيادة في المساحة، فقد تعمم سامسونج استخدام هيكل SbS لجميع رقائق Exynos على المدى المتوسط والطويل.
