Samsung a dévoilé une technologie révolutionnaire avec le Galaxy S26, intégrant le réseau de distribution d’énergie par l’arrière (BSPDN). Cette innovation promet d’améliorer l’efficacité énergétique et de réduire la chute de tension en séparant la distribution d’énergie des signaux de données. Le processus SF2 de 2 nm de Samsung offre une augmentation de performance de 12 % par rapport à son prédécesseur de 3 nm, tout en améliorant l’efficacité énergétique de 25 %.
Grâce à ces avancées, Samsung se positionne pour concurrencer directement TSMC dans le secteur de la fabrication de semi-conducteurs avancés. Le processeur Exynos 2600, qui équipera certaines variantes du Galaxy S26, dispose d’une configuration CPU à 10 cœurs et promet des améliorations significatives en matière de performance en intelligence artificielle grâce à une unité de traitement neuronal améliorée.
Pour faire face aux défis thermiques, Samsung a intégré la technologie “Heat Pass Block” et utilise un emballage de niveau de plaquette en éventail (FOWLP) pour mieux dissiper la chaleur, permettant ainsi des performances soutenues. Ces innovations visent à surmonter les problèmes de surchauffe observés dans les générations précédentes d’Exynos.
L’impact sur le marché pourrait être significatif, Samsung cherchant à regagner les parts de marché perdues au profit de TSMC. L’Exynos 2600 pourrait équiper les modèles Galaxy S26 dans différentes régions, marquant un changement par rapport à l’utilisation exclusive de puces Snapdragon dans les modèles haut de gamme. Le succès dépendra de la performance réelle et de l’efficacité du produit, ce qui pourrait renforcer la confiance dans la marque Exynos et redéfinir le paysage concurrentiel des processeurs mobiles.
