Samsung, le plus grand fabricant mondial de puces mémoire, confirme qu’il développe la technologie DRAM 4F² VCT afin de défendre sa supériorité technique face aux concurrents chinois. Cette affirmation a été faite publiquement lors du salon SEDEX 2026.
La précision intervient après l’annonce récente de Changxin Memory Technology (CXMT), qui prévoit de commercialiser des DRAM serveurs en 4F² d’ici la fin 2026 — annonce qui a entraîné une baisse du cours de l’action de Samsung.
Interrogé au sujet d’un éventuel travail sur la même technologie, Song Jae-hyuk, Chief Technology Officer (CTO) et président de Samsung Electronics, a répondu “Yes” lors de la 28e Semiconductor Exhibition (SEDEX 2026) tenue au COEX dans le district de Gangnam-gu à Séoul, Corée du Sud.
Pourquoi le 4F² change la donne
La densité accrue permise par le 4F² est jugée essentielle pour répondre à la demande croissante des serveurs d’IA. Le DRAM traditionnel atteint ses limites de mise à l’échelle en 2D, ce qui fait du 4F² l’étape suivante dans l’évolution des architectures DRAM. Cette nouvelle structure de cellule réduit drastiquement l’empreinte physique de chaque cellule mémoire en la construisant à la verticale plutôt qu’à l’horizontale, ce qui permet d’augmenter la capacité de stockage sur une même surface de puce.
Après l’étape du 4F², les fabricants de mémoire devraient ensuite passer à de véritables architectures DRAM 3D, capables d’encapsuler encore plus de capacité dans une même aire tout en réduisant la consommation d’énergie.
