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Samsung a-t-il devancé Apple avec sa puce mobile 2nm ?

Samsung a dévoilé l’Exynos 2600, la première puce mobile au monde de 2 nanomètres, utilisant le procédé Gate-All-Around (GAA) de la société. Ce système sur puce à 10 cœurs, basé sur l’architecture ARM, promet des performances et une efficacité accrues pour les appareils haut de gamme, tels que la future série Galaxy S26.

La puce intègre les derniers cœurs d’Arm et prend en charge de nouvelles instructions pour améliorer la vitesse du processeur et l’intelligence artificielle embarquée, avec un gain de 39 % en performance CPU et une accélération de 113 % pour le NPU, facilitant des charges de travail IA plus importantes et efficaces. Le GPU repose sur le dernier design Xclipse, doublant les performances graphiques antérieures et augmentant le ray tracing de 50 %.

Les précédents processeurs Exynos souffraient d’une réputation de surchauffe et de réduction des performances, surtout face aux puces concurrentes d’Apple. Pour y remédier, Samsung a introduit une nouvelle approche thermique appelée Heat Path Block (HPB), utilisant un matériau EMC High-k pour améliorer la dissipation thermique, permettant à l’Exynos 2600 de maintenir des niveaux de performance élevés plus longtemps, même sous des charges de travail intenses.

Apple prévoit d’adopter le nœud de processus 2nm pour plusieurs appareils en 2026, utilisant le procédé N2 de TSMC. Les puces A20 et A20 Pro pour l’iPhone 18 devraient être les premières à bénéficier de ce nouveau procédé. Comparé aux puces actuelles de 3nm, le processus 2nm de TSMC promet une augmentation de 15 % des performances ou une réduction de la consommation d’énergie de 25 à 30 % à performance égale, avec une densité de transistors augmentée de 15 %.

Les premières puces 2nm d’Apple devraient apparaître dans les modèles iPhone 18 Pro et le premier iPhone pliable, attendus fin 2026. Au-delà des iPhones, la série M6 pour les futurs Macs pourrait également utiliser ce processus, bien qu’aucune rumeur spécifique n’ait été confirmée à ce sujet.

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