Samsung a présenté plusieurs mémoires et solutions de stockage avancées destinées aux futurs centres de données d’intelligence artificielle, aux côtés de ses concepts V10 BV-NAND flash et zHBM. Ces produits visent à offrir des performances supérieures et une meilleure efficacité énergétique pour accélérer le traitement IA.
Samsung met en avant le zNAND-O pour l’edge AI
Le zNAND-O est le nouveau concept de mémoire 3D NAND haute performance de Samsung, conçu spécifiquement pour le calcul AI en périphérie (edge AI). Développé en versions à quatre et huit couches, il vise à fournir une latence plus faible et des débits de transfert de données supérieurs à ceux des puces NAND actuelles. Son format compact le rend potentiellement adapté aux appareils mobiles, notamment ordinateurs portables, smartphones et tablettes, ainsi qu’aux applications robotiques.
LPDDR5X-PIM : traitement intégré dans la mémoire
Samsung a également présenté la puce mémoire LPDDR5X-PIM, présentée comme la première mémoire LPDDR du secteur intégrant des capacités de traitement des données. En effectuant le traitement au sein même de la puce mémoire, cette approche peut réduire les mouvements de données et améliorer l’efficacité énergétique.
eSSDs PM1763 et BM1773 exposés au FMS 2026
Parmi les autres présentations figuraient deux SSD d’entreprise : le PM1763, positionné comme un SSD d’entreprise haute performance, et le BM1773, conçu pour une grande capacité de stockage. Les deux eSSDs ont été exposés lors du salon FMS 2026.
