Samsung, premier fabricant mondial de puces mémoire, a dévoilé le concept zHBM lors du salon Future of Memory and Storage (FMS) 2026 à Santa Clara, Californie. Conçu pour les serveurs et centres de données destinés à l’intelligence artificielle, zHBM — pour Z-axis High Bandwidth Memory — promet des débits environ huit fois supérieurs et une densité mémoire plus de dix fois supérieure à ceux des puces HBM5, qui ne sont pas encore commercialisées.
zHBM : concept et innovations techniques
Le gain de performances découle d’une organisation verticale : les puces HBM sont empilées directement au‑dessus de l’accélérateur IA, au lieu d’être placées latéralement sur un interposer. Samsung indique que ce rapprochement réduit la distance entre processeur et mémoire et pourrait améliorer les vitesses de transfert de données.
Le fabricant précise que la densité mémoire supérieure — plus de 10x par rapport à HBM5 — repose sur une technologie de liaison de wafers de nouvelle génération. Samsung avance également des gains énergétiques d’environ trois fois et une résistance thermique réduite de 50 % par rapport aux configurations mémoire conventionnelles.
zHBM pourrait en outre prendre en charge des conceptions personnalisées : des composants spécifiques au client peuvent être intégrés dans la couche située entre l’accélérateur IA et la puce mémoire, ce qui permettrait d’augmenter encore la capacité mémoire et d’améliorer les performances de l’accélérateur.
